Sb掺杂对ZnO-V2O5多元系压敏电阻的影响

• 作者: 刘向春 王卫民 田长生 赵鸣
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Sb 掺杂 ZnO 压敏电阻
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 839-842,853
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.93|TN379
• 字数: 1991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.010

摘要

本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响.化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶粒随之细化.同时材料的压敏电压出现大幅上升,而非线性系数和漏电流密度受Sb掺杂形式的变化影响不大.Sb以V/Sb预合成粉进行掺杂可以获得较大尺寸的晶粒,有利于材料在低压方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田长生	西北工业大学材料科学与工程学院	110	922	16.0	24.0
2	赵鸣	西北工业大学材料科学与工程学院	24	233	9.0	14.0
6	王卫民	西北工业大学材料科学与工程学院	17	220	7.0	14.0
7	刘向春	西北工业大学材料科学与工程学院	25	280	10.0	16.0