BST薄膜漏电流温度特性研究

• 作者: 卢肖 吴传贵 张万里 李言荣
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: BST薄膜 漏电流 温度特性 空间电荷限制电流
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.01.017

摘要

采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295～375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响.实验发现:J∝Vm在低场下(V＜1.8V)m≈1,高场下(V＞1.8V)m≈8.随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数m值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数m值减小.通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足lnJ∝-1T,在高场下满足logJ∝1t.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	吴传贵	电子科技大学微电子与固体电子学院	27	96	5.0	8.0
4	卢肖	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	20	2.0	2.0