新型512Mb NOR闪存＋PSRAM／LPSDRAM子系统芯片

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: NOR闪存 512Mb 系统芯片 动态随机存取存储器 静态随机存取存储器 ST公司 90nm工艺 3G手机 256Mb 闪存存储器
• 年，卷（期）: dzyqjyy_2006,（3）
• 页码范围: 134
• 页数: 1页
• 分类号: TN402

摘要

ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统。这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器（PSRAM）或低功耗同步动态随机存取存储器（LPSDRAM）。采用ST的现代90nm工艺技术制造，新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和更好的性价比。