用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术

• 作者: 卓敏 张龙 朱健 贾世星
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微惯性器件 ICP刻蚀 底切 根切 分步工艺
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳制造
• 页码范围: 1381-1383
• 页数: 3页
• 分类号: TH16
• 字数: 1854字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.017

摘要

在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应,本文介绍了一种实现微结构刻蚀的ICP分步工艺的新方法,采用不同的刻蚀工艺条件,初始阶段减小底切效应,减小线条损失,刻蚀的中间阶段保证刻蚀速度,刻蚀的最终阶段减小侧向刻蚀,提高结构释放的一致性.同时通过在刻蚀结构的背面生长200 nm厚Al膜对等离子体的吸附作用减小了根切效应,提高了刻蚀的精度和结构释放的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健		43	318	11.0	16.0
2	贾世星		20	158	8.0	11.0
3	张龙		7	66	4.0	7.0
4	卓敏		4	34	3.0	4.0