采用功率MOSFET管设计纳秒高电压脉冲产生器

• 作者: 冯仕云 梁勤金 石小燕
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET管 功率MOS管 高电压脉冲 纳秒脉冲 电路设计 产生器 开关转换速度 功率模块
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 216
• 页数: 1页
• 分类号: TN624

摘要

功率MOS管有能力产生高速纳秒或亚纳秒脉冲，商用装置的速度主要受以下几个固有限制：导线感应系数、栅极、源极、漏极阻抗和驱动节电容，这些因素导致装置的开关转换速度最快约500ps。 在功率模块MOSFET电路设计中，其综合性能主要受限于栅极和源极之间的最大安全电压即关断电压，这也是通过功率模块MOSFET达到电压累积目的所必须考虑的。