真空蒸发法制备SnS薄膜及其光电性能研究

• 作者: 史伟民 徐环 林飞燕 邱永华 魏光普
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: SnS 薄膜 真空蒸发法 太阳电池
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 817-820,827
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.07.011

摘要

采用真空蒸发法,在载玻片上制备了SnS薄膜.分析表明,此法制备的SnS薄膜的导电类型为p型,在(111)晶面上有很强的择优取向;其晶粒呈棒状,平均长度约为0.2～0.3 μm,薄膜中的S与Sn原子非常接近化学计量比,在吸收边附近薄膜的吸收系数约为105 cm-1,光学能隙Eg约为1.35 eV,电阻率约为240 Ω·cm,比其它方法制备的SnS薄膜,其在光学与电学性能上有较大的改善,更适合做薄膜太阳能电池的吸收层.成功制备出了ITO/p-SnS/n-Si/Ag结构的太阳电池,其光电转换效率达0.71 %.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐环	上海大学材料科学与工程学院	4	42	3.0	4.0
2	史伟民	上海大学材料科学与工程学院	56	313	10.0	14.0
3	林飞燕	上海大学材料科学与工程学院	3	37	2.0	3.0
4	邱永华	上海大学材料科学与工程学院	6	57	4.0	6.0
5	魏光普	上海大学材料科学与工程学院	14	115	5.0	10.0