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CdZnTe 像素探测器的制备与表征
CdZnTe
像素探测器
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半导体探测器
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金硅面垒型
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辐射成像探测
半导体探测器
CdZnTe
极化效应
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 CdZnTe化合物半导体探测器
来源期刊 中国原子能科学研究院年报 学科 工学
关键词 CdZnTe 半导体探测器 化合物 材料密度 原子序数 禁带宽度 电阻率
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 332
页数 1页 分类号 TQ655
字数 语种 中文
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CdZnTe
半导体探测器
化合物
材料密度
原子序数
禁带宽度
电阻率
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期刊影响力
中国原子能科学研究院年报
年刊
大16开
北京275信箱65分箱
1978
chi
出版文献量(篇)
6253
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51
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