Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响

• 作者: 于广辉 俞谦荣 隋妍萍 齐鸣
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延(MBE) Ⅲ/Ⅴ比 二维生长 光致发光(PL)谱
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 958-962
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.08.014

摘要

在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的VN和VGa缺陷态有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隋妍萍	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
2	于广辉	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
3	俞谦荣	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
4	齐鸣	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0