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摘要:
为了有效的进行集成电路成品率预报和故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形、椭圆或方形.然而,真实缺陷的形貌是多种多样的,它们的形状对集成电路的成品率估计有重要影响.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征,并用小波变换的方法对其分形维数进行了估计,估计结果与实例的特征相符,从而为缺陷轮廓的表征和计算机模拟提供了新的特征参数.
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文献信息
篇名 IC缺陷轮廓分形维估计的小波方法
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 IC缺陷轮廓 小波变换 分形维
年,卷(期) 2006,(8) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 1485-1487
页数 3页 分类号 TN406
字数 2626字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2006.08.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 312 1866 17.0 25.0
2 宋国乡 西安电子科技大学理学院 160 2031 21.0 40.0
3 孙晓丽 西安电子科技大学理学院 11 155 7.0 11.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
IC缺陷轮廓
小波变换
分形维
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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