CdS半导体纳米晶的生长及其光谱研究

• 作者: 介万奇 余凤斌 陈福义
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 量子点 CdS 光学性能
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1835-1837
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 字数: 2370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.11.045

摘要

用玻璃沉淀技术制备了含过饱和CdS的玻璃固溶体,在一定条件下晶化处理使其长出CdS量子点,并采用了X射线衍射、高分辨扫描电镜、光吸收谱和荧光发光光谱等测试手段分析其性能,结果表明经过晶化处理可以在玻璃中长出CdS量子点,尺寸大约为10～25nm,吸收谱中出现明显的红移现象,反映出量子点的量子限域效应,荧光发光图谱中可以看出量子点发光主要由带隙发光和表面缺陷态发光组成,提高热处理温度可以改善晶粒的完整性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	陈福义	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	37	110	5.0	8.0
3	余凤斌	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	3	17	2.0	3.0