填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

• 作者: K. Iwasa M. Kohgi 周智辉 杨昌平 王浩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6643-6646
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2988字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.077

摘要

CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王浩	湖北大学物理学与电子技术学院	33	185	6.0	13.0
2	周智辉	湖北大学物理学与电子技术学院	1	0	0.0	0.0