电池保护芯片中低功耗技术的研究与实现

• 作者: 童乔凌 邹雪城 郑朝霞
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 低功耗技术 休眠技术 耗尽型MOS管 亚阈值区
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 174-176
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.04.051

摘要

在分析了电池保护电路设计功耗要求的基础上,提出了三种降低功耗的方法,并推导了相应的公式:使用电路休眠技术,减少空闲时不必要的功耗;设计各电路模块的MOS管工作在亚阈值区,减小电路工作时的电流;基准电路中使用耗尽型nMOS管做恒流源,以简单的电路结构,得到与电源电压无关的基准电流和基准电压,从而达到降低功耗的目的.采用这些方法设计出来的CMOS工艺电池保护芯片,休眠时电流为59.2nA,工作时电流也不超过2.46uA,设计取得了成功.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	童乔凌	华中科技大学电子科学与技术系	28	106	7.0	8.0
3	郑朝霞	华中科技大学电子科学与技术系	33	235	9.0	13.0