盐密和灰密对110kV复合绝缘子闪络电压的影响

• 作者: 孙才新 张志劲 胡建林 蒋兴良 陈爱军
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 合成绝缘子 污秽 盐密 灰密 闪络电压
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 电工电机
• 页码范围: 150-154
• 页数: 5页
• 分类号: TM835
• 字数: 3158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-8013.2006.09.028

摘要

合成绝缘子具有很好的防污闪特性,但也会发生污秽闪络,这与常规的人工污秽试验仅考虑盐密的影响不无关系.文中选择110kV合成绝缘子为试品,在人工雾室中研究了灰密(NSDD)和盐密(ESDD)对合成绝缘子污闪特性的影响,分析了NSDD影响的原因,并采用2种方法对试验数据进行了分析和拟合.结果表明:人工污秽试验中,合成绝缘子污闪电压Uf与ESDD和NSDD均有关,但二者的影响是彼此独立的;随着ESDD或NSDD的增加,其Uf均按幂函数规律降低;ESDD和NSDD对Uf影响的特征指数分别为0.106、0.140,即对于合成绝缘子,灰密的影响大于盐密,这与瓷绝缘子相反;灰密对污闪电压影响的原因之一是吸收更多的水分,二是破坏合成绝缘子的憎水性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙才新	重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室	379	13536	63.0	93.0
2	蒋兴良	重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室	218	5355	38.0	64.0
3	张志劲	重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室	104	2551	29.0	47.0
4	胡建林	重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室	105	1743	26.0	37.0
5	陈爱军	重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室	8	148	7.0	8.0