碳离子辐射对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响的研究

• 作者: 刘运宏 孙旭芳 王荣
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge 太阳电池 碳离子 辐照
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 259-261
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4|V442
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.04.005

摘要

利用2×1.7 MV串列静电加速器提供的碳(C)离子束模拟空间环境辐射,对空间GaAs/Ge太阳电池用注量为3.1×109-6.9×1012 cm-2的2 MeV C离子进行辐照.通过Ⅰ-Ⅴ特性和光谱响应测试,研究分析了GaAs/Ge太阳电池的C离子辐射效应.结果表明:随着C离子辐照注量的增加,GaAs/Ge太阳电池电性能参数Isc、Voc和Pmax衰降增大,其中Pmax衰降最大,Isc次之,Voc最小.该衰降规律和质子辐照的衰降规律相似.但使GaAs/Ge太阳电池的Pmax衰降到原值的50%,用C离子辐照所需注量要比相同射程的质子辐照小两个量级.在低注量辐照时,光谱响应衰降主要发生在长波范围;而注量大于3.1×1010 cm-2时,则发生明显的长、短波整个波段的光谱响应衰降;当注量增大到2.3×1011 cm-2以上,光谱响应基本消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	34	284	10.0	15.0
10	刘运宏	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	5	29	4.0	5.0
14	孙旭芳	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	5	29	4.0	5.0