Nd掺杂Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15陶瓷的电性能

• 作者: 何军辉 王伟 陈小兵 顾世浦
• 来源期刊: 扬州大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂 剩余极化 居里温度 压电系数
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: O482.54|TM271
• 字数: 2357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-824X.2007.02.007

摘要

Nd等价取代Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15的A位,形成SrBi8-xNdzTi7O27(x=0.00～1.50)共生陶瓷.结果表明:Nd掺杂未改变晶体的共生结构,样品剩余极化(2Pr)在掺杂量x=0.50时取得极大值,为32.3×10-2C·m-2,比未掺杂时增加了70%,而矫顽场则从未掺杂时的90.5×105 V·m-1上升为103×105 V·m-1.Nd掺杂使得样品的居里温度(tc)有所下降,x=0.50时的tc为538℃.掺杂使得样品的压电性能明显改善,压电系数d33从未掺杂时的6 pC·N-1增加到x=0.50时的11 pC·N-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小兵	扬州大学物理科学与技术学院	56	224	8.0	11.0
2	何军辉	扬州大学物理科学与技术学院	18	30	3.0	4.0
3	王伟	扬州大学物理科学与技术学院	56	283	10.0	15.0
4	顾世浦	扬州大学物理科学与技术学院	4	16	2.0	4.0