氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应

• 作者: 张立
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度矩阵方法 氮化物耦合量子阱 内建电场 二次谐振波产生
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 251-255
• 页数: 5页
• 分类号: O431.2
• 字数: 4518字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2007.04.003

摘要

理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.