极化效应对氮化镓型LED性能影响分析

• 作者: 张建亚 赵宇坤 黄勇林
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: 极化电荷 LED性能 能带结构 电子空穴浓度
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件研究与应用
• 页码范围: 46-48,60
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 2109字
• 语种: 中文

摘要

对氮化镓(InGaN/GaN)型MQW(多量子阱)结构的蓝宝石衬底LED(发光二极管)受自发和压电极化效应的影响进行了研究.为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟.研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数.可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄勇林	南京邮电大学光电工程学院	34	110	5.0	8.0
2	张建亚	南京邮电大学光电工程学院	2	6	2.0	2.0
3	赵宇坤	西安交通大学电子与信息工程学院	1	4	1.0	1.0