半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量

• 作者: 何元金 侯清润 赵伟 陈宜保
• 来源期刊: 物理与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体硅 Seebeck系数 电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 物理实验
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-7104.2007.01.006

摘要

本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量,与Hall系数和电阻率测量实验相对应,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征.由Seebeck系数的正负号确定载流子的类型是P型还是N型.半导体内有两种导电机制:杂质导电和本征导电.在杂质导电区,可以确定晶格散射因子;在本征导电区,可以确定硅的禁带宽度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宜保	清华大学物理系	28	164	7.0	10.0
2	赵伟	清华大学物理系	210	3095	27.0	47.0
3	侯清润	清华大学物理系	8	91	5.0	8.0
4	何元金	清华大学物理系	14	122	6.0	10.0