对Si和SiC纳米线中由应力引起的结构演化的高分辨显微研究

• 作者: 张泽
• 来源期刊: 纳米科技
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 2-5
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

[编者按]:2007年11月20日,2007第六届中国国际纳米科技(成都)研讨会隆重召开,我国材料科学专家、中国科学院院士、北京工业大学副校长张泽应邀作了精彩的大会报告,报告主要介绍了张院士在Si和SiC纳米线微观行为等方面的最新发现以及研究进展,现将报告概要整理如下,谨供广大读者学习、参读.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张泽		44	272	8.0	15.0