激光分子束外延法制备Fe纳米阵列结构

• 作者: 万兰芳 方炎 骆智训
• 来源期刊: 三峡大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: LMBE AAO模板 铁 纳米阵列 复形模板
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 数理研究
• 页码范围: 574-578
• 页数: 5页
• 分类号: O482
• 字数: 3659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-948X.2007.06.025

摘要

采用阳极氧化铝箔的方法制备了孔径分布均匀的阳极氧化铝(AAO)模板,然后通过激光分子束外延(LMBE)的方法在这些孔洞里生长有序铁纳米阵列,根据控制生长的条件,生长出纳米线、纳米管,以及高度有序的量子点阵列,甚至得到纳米复制的新的复形模板.实验发现,虽然LMBE系统本身的高度可控性是这些不同类型的有序纳米阵列的前提,但不同材料在模板纳米孔洞里的不同生长趋向以及生长模式是探索可控生长的决定因素.这些可控参数的深入探讨为纳米阵列材料在微器件和纳米复制领域将有更直接的实际意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方炎	首都师范大学北京市纳米光电子学重点实验室	60	393	10.0	17.0
2	万兰芳	三峡大学理学院	7	32	3.0	5.0
3	骆智训	首都师范大学北京市纳米光电子学重点实验室	1	2	1.0	1.0