γ-Si3N4在高压下的光学性质研究

• 作者: 丁迎春 徐明 段满益 沈益斌 陈青云
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: γ-Si3N4 光学性质 高压 第一性原理
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 755-759
• 页数: 5页
• 分类号: O734
• 字数: 4326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2007.06.025

摘要

采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),详细计算了不同压力下γ-Si3N4的光学性质(反射系数、吸收系数、复介电常数、折射系数).分析了压力对光学性质的影响,发现在高压条件γ-Si3N4的一些光学性质并不发生太大的变化,表明γ-Si3N4在高压条件下的光学应用是可行的.