γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

• 作者: 丁迎春 徐明 沈益斌 潘洪哲 祝文军 贺红亮
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: γ-Si3N4 光学性质 力学性质 高压
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 117-122
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 3642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.019

摘要

采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.