聚焦离子束在精细加工中引起损伤的分析

• 作者: 宋云 曾(韋華) 李越生 王振雄 郑国祥 陆海纬
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 聚焦离子束 TEM制样 非晶层 阈值电压 埋沟PMOS
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 117-122
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 4064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2007.01.021

摘要

微分析技术已经成为微电子产业发展的重要技术支撑,FIB(focused ion beam)结合了精细加工技术和微分析技术,具有在亚微米线度上的微细加工和高分辨率成像的能力,成为强有力的TEM(transmission electron microscope) 制样工具以及电路修补的有力工具.同时,FIB辐照对样品结构的损伤以及器件性能的影响受到广泛的关注.为使实际FIB的工作更优化,更有针对性,从而确保不同器件在FIB加工后的可靠性,从研究FIB辐射对材料结构的损伤入手,针对两种不同类型的晶体管(常规工艺NMOS晶体管和埋沟工艺PMOS晶体管),进行了FIB辐照下的电学性能对比.较常规工艺的NMOS晶体管,埋沟工艺的PMOS晶体管在跨导和迁移率等参数的变化情况与前者相似,但是在阈值电压变化,辐照损伤修复方面,后者显示出独特的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李越生	复旦大学材料科学系	26	166	6.0	12.0
2	郑国祥	复旦大学材料科学系	24	138	6.0	10.0
3	宋云	复旦大学材料科学系	11	21	2.0	4.0
4	王振雄	复旦大学材料科学系	4	3	1.0	1.0
5	陆海纬	复旦大学材料科学系	4	13	2.0	3.0
6	曾(韋華)	复旦大学材料科学系	2	3	1.0	1.0