新型MOS晶体管式压力传感器

• 作者: 刘理天 张兆华 张艳红 林惠旺 谭智敏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 力敏效应 MOS晶体管 灵敏度 功耗
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 物理量传感器
• 页码范围: 225-227,234
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.072

摘要

在应力作用下,MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化.基于MOS晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的MOS晶体管式压力传感器.该器件在与目前最常用的压阻式压力传感器相比,继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	张兆华	清华大学微电子学研究所	21	150	8.0	11.0
3	谭智敏	清华大学微电子学研究所	18	114	7.0	9.0
4	张艳红	清华大学微电子学研究所	7	60	5.0	7.0
5	林惠旺	清华大学微电子学研究所	18	150	8.0	11.0