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摘要:
报道了γ射线辐照对薄膜材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)制备的中波红外焦平面列阵探测器性能的影响.γ射线辐照的剂量依次为3×106 rad、9×106rad、2×107 rad.测量了器件在辐照前及各个剂量辐照后的I-V特性、黑体响应、噪声等性能参数.通过分析实验数据,发现器件的暗电流,噪声随辐照剂量的增加而增大,黑体响应随辐照剂量的增大而减小.其中I-V特性受辐照影响最大,黑体响应和噪声对辐照不是很敏感.这些表明随着辐照剂量的增加,器件的性能逐步衰退.
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文献信息
篇名 中波红外焦平面列阵探测器γ辐照效应
来源期刊 量子电子学报 学科 工学
关键词 光电子学 红外焦平面探测器 辐照效应 γ射线辐照 碲镉汞
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 半导体光电
研究方向 页码范围 110-113
页数 4页 分类号 TN3
字数 3020字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王建新 中国科学院上海技术物理研究所 17 92 5.0 9.0
2 廖毅 中国科学院上海技术物理研究所 3 21 2.0 3.0
3 张勤耀 中国科学院上海技术物理研究所 5 42 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
光电子学
红外焦平面探测器
辐照效应
γ射线辐照
碲镉汞
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
量子电子学报
双月刊
1007-5461
34-1163/TN
大16开
安徽省合肥市1125邮政信箱
26-89
1984
chi
出版文献量(篇)
2856
总下载数(次)
6
总被引数(次)
17822
论文1v1指导