热蒸发法碳化硅纳米晶须阵列的合成与表征

• 作者: 吴仁兵 吴玲玲 杨光义 林晶 潘颐 翟蕊 陈建军
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 晶须 气固反应机理
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 77-83
• 页数: 7页
• 分类号: TB332|TQ174
• 字数: 4461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2007.05.015

摘要

在1600℃不同真空度下,采用热蒸发硅的方法,在石墨基板和聚丙烯腈(PAN)炭纤维两种碳源基体原位生长具有一定取向的碳化硅纳米晶须--垂直于石墨片表面森林状和试管刷状碳化硅纳米晶须阵列.通过X射线衍射及场发射扫描电镜,发现晶须为3C-SiC,直径约100 nm,长度约50μm.炭纤维表面的产物顶端多为针尖状,而石墨片表面的产物多为六方棱柱状.因其纳米尺寸效应,在380nm波长的光激发下,所制晶须在波长为468 nm附近出现光致发光峰.透射电镜、多点衍射电子衍射图表明,所制得的3C-SiC晶须为单晶,其生长方向为3C-SiC的[111]方向.基于反应过程中硅熔体与碳源分离的事实,讨论了3C-SiC晶须阵列生长的气固反应机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建军	浙江理工大学材料工程中心	19	75	5.0	8.0
5	潘颐	浙江大学材料科学与工程系	32	408	12.0	19.0
6	杨光义	浙江大学材料科学与工程系	8	66	5.0	8.0
7	吴玲玲	浙江大学材料科学与工程系	29	201	8.0	13.0
8	吴仁兵	浙江大学材料科学与工程系	6	35	3.0	5.0
9	林晶	浙江大学材料科学与工程系	5	42	4.0	5.0
10	翟蕊	浙江大学材料科学与工程系	4	34	3.0	4.0