一种基于FLATCELL结构的MASKROM芯片设计

• 作者: 朱立群 牛征
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 平坦式离子植入绝缘工艺 存储单元 掩模式只读存储器
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN702
• 字数: 2209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.04.008

摘要

文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度.重点讨论存储单元的物理原理和逻辑结构,相应的外围电路模块的电路设计与功能实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱立群		2	3	1.0	1.0
2	牛征		2	36	2.0	2.0