滑板中原位生成SiC晶须的制备机理

• 作者: 白晨 邓承继 黄志明
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: SIC 晶须 机理 原位生成 滑板
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TQ175.75

摘要

本文以滑板为研究对象，采用硅微粉和碳黑为原料，其混合物在氩气气氛下，于1400-1650℃范围内进行热处理。结果表明：这个系统生成的SiC晶须在低温阶段是为气-固反应为模型，生长的SiC晶须呈直杆状和哑铃状。随着热处理温度升高，SiC晶须生长机理由气-固模型转变为气-液-固模型。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓承继		57	142	6.0	8.0
2	白晨		21	87	5.0	8.0
3	黄志明		2	3	1.0	1.0