用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性

• 作者: 许铭真 贾高升
• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄栅氧化层 PMOSFET 负偏压温度不稳定性(NBTI) 退化 恢复效应
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 测试
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-5289.2007.04.013

摘要

本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature instability)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method).用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(△Vth)信息.这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
2	贾高升	北京大学微电子所	2	3	1.0	1.0