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摘要:
磷吸杂在晶体管芯片制造过程中对改善芯片表面态、减少漏电流等起着重要作用。文中确定了方块电阻为6—8Ω/□(欧姆/方块)的磷吸杂工艺条件,并对过程的相关影响因素进行分析和探讨,同时提出了解决方法。
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文献信息
篇名 磷吸杂工艺研究
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 磷吸杂 晶体管 芯片制造 工艺
年,卷(期) 2007,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 79-80
页数 2页 分类号 TN873.93
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研究主题发展历程
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磷吸杂
晶体管
芯片制造
工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
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7
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11366
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