华灿光电成功研制新型蓝绿光LED芯片

• 来源期刊: 中国照明
• 学科: 工学
• 关键词: 绿光LED 芯片 光电 优化结构设计 绿色发光二极管 分子束外延 抗静电性能 沉积工艺
• 年，卷（期）: zgzm_2007,（5）
• 页码范围: 126
• 页数: 1页
• 分类号: TN364.2

摘要

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外延片，实现了GaN外延片的批量生产。一般在蓝宝石上制造的蓝绿光LED芯片，由于其单向导电，所以抗静电性能差。公司在提高器件ESD水平上投入了大量的人物力研发，