GaN基蓝绿光LED电应力老化分析

• 作者: 李志明 潘书万 陈松岩
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 光衰减 电应力 退化机理
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1521-1526
• 页数: 6页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 4184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133411.1521

摘要

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大～9％;而在较大测量电流(20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18％).同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心.在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	68	248	8.0	12.0
2	潘书万	华侨大学工学院	12	30	3.0	5.0
3	李志明		1	6	1.0	1.0