MOCVD生长的GaN基LED的应力分析

• 作者: 张恒 徐现刚 曲爽 王成新 胡小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 金属有机化学气相沉积法 翘曲度
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3811-3815
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 语种: 中文

摘要

使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED.研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响.光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性.结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到有效的降低.与此同时,外延片的波长均匀性得到了进一步的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
4	张恒	山东大学晶体材料国家重点实验室	35	92	5.0	9.0
5	曲爽		2	1	1.0	1.0
6	王成新		2	1	1.0	1.0