GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究

• 作者: 杨光 游瑜婷 王洪 黄华茂
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED MOCVD 低温空穴注入层 二茂镁 温度
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 595-599
• 页数: 5页
• 分类号: TN303|TN304
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143505.0595

摘要

针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层(LT-HIL),实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁(Cp2Mg)流量和生长温度的影响.结果表明:随着Cp2Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低；而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移,芯片的输出光功率先升高后降低,正向电压先降低后升高.相比于无LT-HIL的样品,在20mA工作电流下,Cp2 Mg流量为1.94μmol/min时制备的芯片的输出光功率提升20.3％,而正向电压降低0.1V.在Cp2 Mg流量较大时,LT-HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善,但不是主要影响因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	61	412	10.0	18.0
2	杨光	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	7	21	3.0	4.0
3	黄华茂	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	13	58	5.0	7.0
4	游瑜婷	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	1	1	1.0	1.0