Si衬底GaN基蓝光LED老化性能

• 作者: 江风益 肖友鹏 莫春兰 邱冲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 GaN 蓝光 LED 老化 光衰
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 364-368
• 分类号: O482.31|TN383.1
• 字数: 2797字
• 语种: 中文

摘要

报道了芯片尺寸为500 μm ×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1 000 h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
3	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
7	肖友鹏	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	4	19	1.0	4.0
8	邱冲	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	25	2.0	2.0