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Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation
Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation
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文献信息
| 篇名 | Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 硅样品 离子注入机 损伤 植入 诱导 拉曼 能源研究所 中科院 | ||
| 年，卷（期） | 2007,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 81 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN304.12 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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年刊
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兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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1640
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