氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究

• 作者: CH(A)TELET Marc 阳生红
• 来源期刊: 中山大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 四极质谱仪 氢化Si(100)表面 脱附 氢分子角分布
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: O552.3
• 字数: 2808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2007.06.008

摘要

利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析.发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n＜1)拟合氢分子角分布.脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关.根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释.