低能Cl原子刻蚀Si(100)表面的分子动力学模拟

• 作者: 宁建平 秦尤敏 苟富均 贺平逆 赵成利
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学 Cl刻蚀Si 分子动力学模拟 微电子机械系统
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 406-411
• 分类号: TN405
• 语种: 中文

摘要

使用分子动力学模拟方法研究了不同能量(0.3-10 eV)的Cl原子对表面温度为300K的Si(100)表面的刻蚀过程.模拟中采用了Tersoff-Brenner势能函数来描述Cl-Si体系的相互作用.模拟结果显示,随着入射Cl原子在表面的吸附达到饱和,Si表面形成一层富Cl反应层.这和实验结果是一致的.反应层厚度随入射能量增加而增加.反应层中主要化合物类型为SiCl,且主要分布于反应层底部.模拟结果发现随初始入射能量的增加,Si的刻蚀率增大.在入射能量为0.3,1和5 eV时,主要的Si刻蚀产物为SiCl4.在入射能量为10 eV时,主要的Si刻蚀产物为SiClx(x<4).分析表明随着入射能量的增加,Cl对Si的刻蚀从化学刻蚀向物理刻蚀转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵成利	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	8	11	2.0	2.0
2	贺平逆	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	7	11	2.0	3.0
6	宁建平	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	6	18	2.0	4.0
7	秦尤敏	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	6	18	2.0	4.0