CMP系统中抛光头与抛光台运动关系分析

• 作者: 衣忠波
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 晶片表面不均匀度 去除率
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 专题报道(半导体前道制造技术)
• 页码范围: 22-24,30
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2007.07.008

摘要

目前半导体制造技术已经进入0.13μm、300mm时代,随着硅片尺寸的增大以及特征线宽的减小,作为目前硅片超精密平坦化加工的主要手段-化学机械平坦化,已经成为IC制造技术中不可缺少的技术.介绍了在化学机械抛光过程中,可以通过抛光头与抛光台运动速度关系优化配置,降低晶片表面不均匀度,从而更好地实现晶片局部和全局平坦化.