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4兆位FRAM采用130nm工艺生产
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摘要：
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保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响
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期刊影响力
电子设计技术
主办单位：
中国电子报社
出版周期：
月刊
ISSN：
1023-7364
CN：
11-3617/TN
开本：
16开
出版地：
北京市
邮发代号：
创刊时间：
1994
语种：
chi
出版文献量（篇）
5532
总下载数（次）
6
总被引数（次）
1789
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