基于130nm CMOS工艺的5Gbit/s10∶1并串转换芯片

• 作者: 孟辰星 郭迪 黄光明
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 并串转换 收发器 高速串行通信
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 1126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0209

摘要

介绍了一种基于GSMC 130 nm CMOS工艺的高速率低功耗10∶1并串转换芯片.在核心并串转换部分,该芯片使用了多相结构和树型结构相结合的方式,在输入半速率时钟的条件下,实现了10路500 Mbit/s并行数据到1路5 Gbit/s串行数据的转换.全芯片完整后仿真结果显示,在工作电压(1.2±10％)V、温度-55～1000C、全工艺角条件下,该芯片均可正确完成10∶1并串转换逻辑功能,并输出清晰干净的5 Gbit/s眼图.在典型条件下,芯片整体功耗为25.2 mW,输出电压摆幅可达到260 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄光明	华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室	82	525	12.0	20.0
2	郭迪	华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室	4	1	1.0	1.0
3	孟辰星	华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室	1	1	1.0	1.0