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基于45nm SOI CMOS工艺的10bit、125MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
基于45nm SOI CMOS工艺的10bit、125MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
作者:
严鹏程
宋焱
张凯娜
耿莉
谢毅
郭卓奇
原文服务方:
微电子学与计算机
流水线模数转换器
逐次逼近
过零检测
高速动态比较器
低功耗
摘要:
基于45 nm SOI CMOS工艺,设计了一款两级流水线级联型逐次逼近ADC(Pipeline-SAR ADC).摒弃了传统流水线结构中大功耗级间运算放大器,采用过零比较器和受控电流源完成级间余量放大功能,极大地减小了ADC的功耗.分析了子ADC中比较器失调对ADC精度的影响,提出了一种具有失调校准的动态比较器,满足了高精度、高速度的要求.此外,在设计逐次逼近结构时,采用共模切换、上极板采样和全定制控制逻辑等技术进一步降低了系统功耗.仿真结果显示,ADC在125 MS/s、奈圭斯特输入频率下,实现了60.46 dB的信噪失真比和77.33dB的无杂散动态范围,有效位数为9.75 bit,系统总功耗只有1 mW.ADC的FoM值仅为9.29 fJ/step,较其他工作有很大的提升.
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sub-rangeSAR
自举开关
低功耗
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多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
用于16 bit SAR ADC的高精度比较器的设计
低失调电压
低噪声
带宽优化
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文献信息
篇名
基于45nm SOI CMOS工艺的10bit、125MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
流水线模数转换器
逐次逼近
过零检测
高速动态比较器
低功耗
年,卷(期)
2017,(11)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
6-10
页数
5页
分类号
TN4
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
耿莉
西安交通大学微电子学院
16
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3.0
5.0
2
张凯娜
西安交通大学微电子学院
2
3
1.0
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严鹏程
西安交通大学微电子学院
1
3
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宋焱
西安交通大学微电子学院
2
5
2.0
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5
谢毅
西安交通大学微电子学院
2
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郭卓奇
西安交通大学微电子学院
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研究主题发展历程
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流水线模数转换器
逐次逼近
过零检测
高速动态比较器
低功耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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