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高性能低功耗10 bit 100 MS/s SAR ADC
高性能低功耗10 bit 100 MS/s SAR ADC
作者:
吴斌
廉鹏飞
易波
王晗
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高性能
低功耗
模数转换器
逐次逼近寄存器
优值(FOM)
动态预放大锁存比较器
摘要:
设计了一种高性能低功耗的10 bit 100 MS/s逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC).基于优值(FOM)设计了一种数模转换器(DAC)单元电容确定法,从而实现了ADC性能和功耗之间的最优折中,得到了最小的后仿真优值为17.92 fJ/步,以及与之对应的最优单元电容值1.59 fF.为了减小输入共模电压变化引起的信号敏感性失调,设计了改进的P型输入动态预放大锁存比较器,比较器采用共源共栅结构(cascode)作为P型预放大器的偏置,从而增加了预放大器的共模抑制比(CMRR).模数转换器采用1层多晶硅8层金属(1P8M)55 nm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行了流片验证,在1.3 V电压和100 MS/s采样率的环境下进行测试,信噪失真比(SNDR)的值为59.8 dB,功耗为1.67 mW,有效电路面积仅为0.0162 mm2.
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内容分析
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引文网络
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期刊文献
内容分析
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
高性能低功耗10 bit 100 MS/s SAR ADC
来源期刊
华中科技大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
高性能
低功耗
模数转换器
逐次逼近寄存器
优值(FOM)
动态预放大锁存比较器
年,卷(期)
2018,(3)
所属期刊栏目
电子与信息工程
研究方向
页码范围
1-6
页数
6页
分类号
TN792|TN432
字数
语种
中文
DOI
10.13245/j.hust.180301
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吴斌
中国科学院微电子学院
161
2294
16.0
45.0
2
易波
中国科学技术大学物理学院
20
88
6.0
8.0
3
廉鹏飞
中国科学技术大学物理学院
3
3
1.0
1.0
7
王晗
北京中科睿微电子技术有限公司模拟射频部
2
4
1.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
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参考文献(1)
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参考文献(2)
二级参考文献(0)
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参考文献(3)
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2016(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2018(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2019(4)
引证文献(3)
二级引证文献(1)
2020(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
高性能
低功耗
模数转换器
逐次逼近寄存器
优值(FOM)
动态预放大锁存比较器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
主办单位:
华中科技大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4512
CN:
42-1658/N
开本:
大16开
出版地:
武汉市珞喻路1037号
邮发代号:
38-9
创刊时间:
1973
语种:
chi
出版文献量(篇)
9146
总下载数(次)
26
总被引数(次)
88536
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