10位10MS/s全电容SAR ADC的设计

• 作者: 史力轺 宁可庆 戴澜
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 逐次逼近模数转换器 比较器 电容阵列
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 135-139
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

设计了一种10位10 Ms/s SAR ADC .该电路内置的DAC使用全电容阵列设计 ,在电容阵列布局中采用新型算法来减少电容失配 ;通过电容的上极板采样信号 ,对电容阵列的开关逻辑电路进行优化 ,在一定程度上降低了功耗 ;比较器使用降低回馈噪声设计 ;最终对版图布局中各个部分的寄生参数进行了优化 .后仿真结果表明 :使用SMIC 0 .18 μm工艺在1 .8 V电源下 ,SNDR达到59 dB ,即有效位达到9 .5位 ,芯片面积为0 .6 mm2 .

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁可庆	北方工业大学电子信息工程学院	15	13	2.0	3.0
2	戴澜	北方工业大学电子信息工程学院	49	87	4.0	8.0
3	史力轺	北方工业大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0