GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究

• 作者: 于彤军 张国义 林亮 秦志新 童玉珍 陈志忠
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 大功率LED 倒装焊 理想因子 发光效率 老化
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 766-768,777
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.06.004

摘要

测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线.结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向小偏压下因沿着位错汇聚金属产生漏电流;产生-复合电流区和扩散电流区因多量子阱限制而理想因子偏大;由于有源区低掺杂,在10A/cm2就开始形成大注入区;在大电流下也因为串联电阻分压而形成串联电阻区.扩散电流区的温度系数和肖克莱方程导出的数值最接近,可用来测量结温.老化过程中反向漏电流增加,是因为有了更多被激活的深能级;随着老化正向漏电增加的速度变慢,是由于位错逐渐被汇集的金属填满.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林亮		1	8	1.0	1.0
2	陈志忠		2	13	2.0	2.0
3	童玉珍		1	8	1.0	1.0
4	于彤军		2	13	2.0	2.0
5	秦志新		2	13	2.0	2.0
6	张国义		3	41	3.0	3.0