硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟

• 作者: 江建军 王慧娟 邓联文 陈成
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子动力学模拟 点缺陷 扩散
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 298-300
• 页数: 3页
• 分类号: O77
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2007.02.035

摘要

本文采用分子动力学方法模拟了硅晶体中空位与间隙原子的结合过程.利用Stillinger-Waber三体经验势函数表征原子间的相互作用,采用Verlet积分算法,在VC++环境下使用C++语言编程,进行计算机模拟.结果表明,空位和间隙原子倾向于通过＜111＞方向结合,并且在运动过程中存在着势垒,势垒值为0.5～1.2eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江建军	华中科技大学电子科学与技术系	105	993	18.0	25.0
2	邓联文	华中科技大学电子科学与技术系	31	401	13.0	19.0
3	陈成	华中科技大学电子科学与技术系	21	102	7.0	9.0
4	王慧娟	华中科技大学电子科学与技术系	4	29	2.0	4.0