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超晶格沟道能够降低栅极泄漏
超晶格沟道能够降低栅极泄漏
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摘要：
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一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构
氮化镓(GaN)
高电子迁移率晶体管(HEMT)
沟道温度
混合势垒层
掺杂超晶格量子阱的沟道效应与沟道辐射
量子阱沟道辐射
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超晶格
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期刊影响力
集成电路应用
主办单位：
上海贝岭股份有限公司
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-2583
CN：
31-1325/TN
开本：
16开
出版地：
上海宜山路810号
邮发代号：
创刊时间：
1984
语种：
chi
出版文献量（篇）
4823
总下载数（次）
15
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