锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性

• 作者: HAO Zhu John Q. Xiao 张亚萍 潘礼庆 赵凡 赵雪丹 邱红梅
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铜 稀磁半导体 铁磁性机理 掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 本期专题:稀磁半导体
• 页码范围: 115-117
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 2353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.12.029

摘要

采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品.X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长.通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变.薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中.通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1μB.这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱红梅	北京科技大学物理系	14	19	3.0	4.0
2	潘礼庆	北京科技大学物理系	30	180	8.0	12.0
3	赵凡	北京科技大学物理系	3	15	2.0	3.0
4	赵雪丹	北京科技大学物理系	23	88	5.0	8.0
5	张亚萍	北京科技大学物理系	2	3	1.0	1.0