ICP刻蚀技术在808nm激光器中的应用

• 作者: 廖柯 王致远
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: ICP 选择比 侧向钻蚀 刻蚀损伤
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 101-103
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4

摘要

主要分析了不同工艺参数对于刻蚀图形的影响，包括刻蚀侧壁角度，刻蚀表面平整度，选择比，侧向钻蚀等几个方面，及ICP刻蚀对激光器性能的影响，通过对翔蚀图形的控制，使2寸片内均匀性〈±5％，侧壁角达到79°～81°。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王致远	重庆邮电大学光电工程学院	5	10	2.0	3.0
2	廖柯	重庆邮电大学光电工程学院	2	1	1.0	1.0