内匹配型Ku波段8W功率器件

• 作者: 何大伟 吴小帅 杨克武 杨瑞霞 邱旭
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 器件 内匹配 PHEMT 栅挖槽
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1252-1254
• 页数: 3页
• 分类号: TN385
• 字数: 1664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.032

摘要

已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35 μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当Vds=8 V,输入功率Pin=32 dBm时,在f=14.0～14.5 GHz频段内,输出功率Po≥39.18 dBm,功率增益Gp＞7 dB,功率附加效率[PAE]＞30%,两管芯合成效率大于88%,其中在14.1 GHz频率点,输出功率达到39.43 dBm,增益7.43 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
3	吴小帅	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	68	4.0	8.0
4	何大伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	6	2.0	2.0
5	邱旭	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	12	2.0	3.0